亿而得申请多次写入只读存储器阵列专利，大幅减少了电容的面积
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金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，亿而得微电子股份有限公司申请一项名为“多次写入只读存储器阵列”的专利，公开号CN119763635A，申请日期为2023年11月。
（图侵删）
专利摘要显示，本发明提供了一种多次写入只读存储器阵列，属于存储器阵列领域，其包括多条字符共源线、多条位元线与多个子存储器阵列。字符共源线包括一第一字符共源线与一第二字符共源线，位元线垂直字符共源线，位元线包括一第一位元线与一第二位元线。每一子存储器阵列耦接两条字符共源线与两条位元线。每一子存储器阵列包括一第一记忆晶胞、一第二记忆晶胞、一第三记忆晶胞与一第四记忆晶胞。第一记忆晶胞耦接第一字符共源线与第一位元线，第二记忆晶胞耦接第一字符共源线与第二位元线，第三记忆晶胞耦接第二字符共源线与第二位元线，第四记忆晶胞耦接第二字符共源线与第一位元线。本发明从场效晶体管的汲极提供闸极电压，大幅减少了电容的面积。
本文源自：金融界
作者：情报员